半導(dǎo)體制造材料包括硅片、光刻膠、掩模、濺射靶材料、CMP拋光材料、濕化學(xué)試劑、電子特種氣體、石英材料等。近年來，半導(dǎo)體晶圓制造產(chǎn)能不斷向中國(guó)轉(zhuǎn)移，全國(guó)各地都加大了晶圓產(chǎn)能規(guī)劃。我們判斷，國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體制造材料市場(chǎng)已經(jīng)迎來重大機(jī)遇。

　　在半導(dǎo)體生產(chǎn)中，超純水主要用于清洗硅片。少量水用于配制藥劑、硅片氧化的蒸汽源、某些設(shè)備的冷卻水、電鍍?nèi)芤旱呐渲啤＜呻娐樊a(chǎn)品的質(zhì)量與產(chǎn)量密切相關(guān)。水中的堿金屬(K、Na等)會(huì)使絕緣膜耐壓不良，重金屬(Au、Ag、Cu等)會(huì)降低PN結(jié)的耐壓力，III族元素 (B、Al、Ga等)會(huì)使N型半導(dǎo)體特性惡化，V族素(P、As、Sb等)會(huì)使P型半導(dǎo)體特性惡化。細(xì)菌高溫炭化水中的磷(約為灰分的20%~50%)會(huì)使p型硅片局部變?yōu)镹型硅片，導(dǎo)致器件性能下降。水中的顆粒，包括細(xì)菌，如果附著在硅片表面，會(huì)導(dǎo)致短路或性能惡化?？梢姡兯诎雽?dǎo)體行業(yè)的必要性。

　　傳統(tǒng)的超純水處理工藝為單級(jí)/雙級(jí)反滲透設(shè)備+混床。其缺點(diǎn)是需要再生，不能連續(xù)產(chǎn)水，不僅效率低，而且浪費(fèi)資源。萊特萊德經(jīng)過多年實(shí)踐，同時(shí)結(jié)合膜分離技術(shù)，采用反滲透加離子交換系統(tǒng)(或EDI)相結(jié)合的工藝來制取超純水，該工藝與傳統(tǒng)工藝相比具有運(yùn)行成本低的優(yōu)點(diǎn)，運(yùn)行可靠。

　　萊特萊德超純水設(shè)備在設(shè)計(jì)上采用成熟、可靠、自動(dòng)化程度高的兩級(jí)RO+EDI+精混床除鹽水處理工藝，確保處理后出水電阻率達(dá)到18 MΩ.CM以上。設(shè)備內(nèi)部還安裝有反滲透預(yù)脫鹽技術(shù)，再次從根本上行保障了設(shè)備的出水水質(zhì)，與此同時(shí)，EDI處理裝置廢水產(chǎn)出量少，不會(huì)對(duì)環(huán)境造成污染，擁有非常高的環(huán)境效益和經(jīng)濟(jì)效益，發(fā)展前景廣闊。